반응형 전력전자/반도체4 PN접합 바이어스에 대하여 안녕하십니까 전력전자와 각종MCU를 공부하고 최종적으로 작품을 만드는 전자 장인 입니다 오늘의 주제는 반도체의 기본 PN접합 바이어스(bias) 지난 시간까지 반도체 기본 개념을 공부하였으며 PN 접합이 어떤 식으로 구성되는지 확인하였습니다. 따라서 오늘은 PN 접합 정방향 바이어스 및 역방향 바이어스에 대하여 자세히 공부하는 시간을 가지겠습니다. 1. 역방향 바이어스 P형 단자에는 -단자를 N형 단자에는 +단자를 연결하는 것으로 역방향 바이어스를 형성할 수 있습니다. 이렇게 역방향 바이어스가 형성되면 퍼텐셜 장벽이 증가하게 됩니다. 퍼텐셜 장벽의 증가로 결핍층 내에서 접합면을 통해 확산하는 전하를 차단하게 됩니다. (P형에서 N형으로 흐르는 전하의 움직임을 억제) 결핍층의 너비가 증가하여 해당 영역의 .. 전력전자/반도체 2022. 3. 30. 반도체 Drift 및 diffusion, PN 접합 안녕하십니까 전력전자와 각종MCU를 공부하고 최종적으로 작품을 만드는 전자 장인 입니다 오늘의 주제는 반도체의 드리프트(Drift)와 확산(Diffusion), PN접합! 이번 시간에는 반도체의 Drift와 diffusion 그리고 PN 접합에 대하여 공부하는 시간을 가지겠습니다. 반도체 내부에 흐르는 전류는 상반된 방향으로 흐르는 정공과 전자들의 순수 합으로 나타낼 수 있습니다. 반도체 내 전류의 흐름을 발생시키는 자유 전하를 캐리어라고 공부하였습니다. 캐리어의 용어를 사용하면 반도체 내부 캐리어의 움직임을 Drift와 diffusion으로 설명할 수 있습니다. 1. Drift 반도체 외부에 전기장을 인가하게 되면 정공은 전기장 방향으로, 전자는 반대 방향으로 가속하게 됩니다. Drift velocit.. 전력전자/반도체 2022. 3. 29. 반도체 스위치 도핑 안녕하십니까 전력전자와 각종MCU를 공부하고 최종적으로 작품을 만드는 전자 장인 입니다 오늘의 주제는 반도체 소자의 기본 개념 및 이론 지난 시간 반도체 용어를 익혔습니다. 이번 시간에는 반도체 소자에 관한 기초를 공부하는 시간을 가지도록 하겠습니다. 물질에 따른 특징과 스위치에 사용하는 반도체 특성, 도핑 등에 대하여 공부하겠습니다. 1. 물질에 따른 전류 도통 전류는 전기장 인가에 따른 자유 전자(전하)의 움직임으로 물질에 따라 자유전자의 수가 매우 다양합니다. 구리, 은 등등 금속류에 자유전자 > 1023 [개/cm3]이며, 석영, 알루미늄 등은 자유전자 < 103 [개/cm3]를 포함하고 있습니다. 또한, 반도체에 사용되는 규소(SI), 갈륨비소(GaAs)는 자유전자 (108~1019) [개/cm.. 전력전자/반도체 2022. 3. 27. 반도체 용어 정리 안녕하십니까 전력전자와 각종MCU를 공부하고 최종적으로 작품을 만드는 전자 장인 입니다 오늘의 주제는 반도체 공부를 위한 반도체 용어 정리! 다이오드, BJT, MOSFET 등 반도체 스위치를 공부하기 위해서 필수로 알고 있어야 하는 용어이기 때문에 한번 정리하는 시간을 가지도록 하겠습니다. 1. 반도체 용어 정리 Doping - 반도체의 전기 전도도 조절을 위하여 순수 반도체에 불순물을 투입하는 공정 Dopant - 순수 반도체에 도핑한 원자 혹은 불순물(impurity) Acceptor - 도핑 시 전자를 받는 원자 (accept) - P형 반도체에 도핑하는 13족 원자 Donor - 도핑 시 전자를 내놓는 원자 (donate) - N형 반도체에 도핑하는 15족 원자 carrier - 반도체 내 전류.. 전력전자/반도체 2022. 3. 24. 이전 1 다음 💲 추천 글 반응형